G3R20MT12N
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227
| ベンダー |  |
|---|---|
| メーカー | GENESIC |
| 品名 | G3R20MT12N |
| データシート | Technical Data Sheet (1.35MB) EN |
| 生産国 | アメリカ |
| 在庫場所 | シンガポール |
| 備考 | ROHS対応品 |
在庫あり24個
個数
価格（税込価格）
1個以上
¥10,383（¥11,421）
個数
最小注文数:1個 注文単位:1個
合計金額¥10,383（¥11,421 税込）
商品仕様
- tariffCode85412900
- rohsCompliantYES
- hazardousfalse
- rohsPhthalatesCompliantYES
- Rds(on) Test Voltage15 V
- Transistor Case StyleSOT-227
- Gate Source Threshold Voltage Max2.69 V
- No. of Pins4 Pins
- usEccnEAR99
- Drain Source Voltage Vds1.2 kV
- Product RangeG3R
- euEccnNLR
- Channel TypeN Channel
- Power Dissipation365 W
- productTraceabilityNo
- Continuous Drain Current Id105 A
- Operating Temperature Max175 °C
- MOSFET Module ConfigurationSingle
- Drain Source On State Resistance0.02 ohm
- SVHCLead (19-Jan-2021)