BSL308CH6327XTSA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
| ベンダー |  |
|---|---|
| メーカー | INFINEON |
| 品名 | BSL308CH6327XTSA1 |
| データシート | Technical Data Sheet (406.38KB) EN |
| 生産国 | マレーシア |
| 在庫場所 | シンガポール |
| 備考 | ROHS対応品 テープカット品 |
在庫あり15,000個
個数
価格（税込価格）
5個以上
¥76（¥84）
50個以上
¥65（¥72）
100個以上
¥53（¥58）
500個以上
¥37（¥41）
1,500個以上
¥37（¥41）
個数
最小注文数:5個 注文単位:5個
合計金額¥380（¥420 税込）
商品仕様
- tariffCode85412100
- Power Dissipation P Channel500 mW
- rohsCompliantYES
- Power Dissipation N Channel500 mW
- hazardousfalse
- rohsPhthalatesCompliantYES
- Transistor Case StyleTSOP
- No. of Pins6 Pins
- usEccnEAR99
- Drain Source On State Resistance P Channel0.044 ohm
- MSLMSL 1 - Unlimited
- Drain Source On State Resistance N Channel0.044 ohm
- Product Range-
- euEccnNLR
- Channel TypeComplementary N and P Channel
- QualificationAEC-Q101
- productTraceabilityNo
- Drain Source Voltage Vds P Channel30 V
- Continuous Drain Current Id N Channel2.3 A
- Continuous Drain Current Id P Channel2.3 A
- Operating Temperature Max150 °C
- Drain Source Voltage Vds N Channel30 V
- SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)