FMV30N60S1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220F, Through Hole
| ベンダー |  |
|---|---|
| メーカー | FUJI ELECTRIC |
| 品名 | FMV30N60S1 |
| データシート | Technical Data Sheet (764.44KB) EN |
| 生産国 | 日本 |
| 在庫場所 | シンガポール |
| 備考 | ROHS対応品 |
在庫あり83個
個数
価格（税込価格）
1個以上
¥1,723（¥1,895）
5個以上
¥1,261（¥1,387）
10個以上
¥1,063（¥1,169）
50個以上
¥978（¥1,076）
100個以上
¥939（¥1,033）
個数
最小注文数:1個 注文単位:1個
合計金額¥1,723（¥1,895 税込）
商品仕様
- tariffCode85412900
- rohsCompliantYES
- hazardousfalse
- rohsPhthalatesCompliantTBA
- Rds(on) Test Voltage10 V
- Transistor Case StyleTO-220F
- Gate Source Threshold Voltage Max3 V
- No. of Pins3 Pins
- usEccnEAR99
- Drain Source Voltage Vds600 V
- Product Range-
- euEccnNLR
- Channel TypeN Channel
- Power Dissipation90 W
- Qualification-
- productTraceabilityNo
- Continuous Drain Current Id30 A
- Operating Temperature Max150 °C
- Transistor MountingThrough Hole
- Drain Source On State Resistance0.125 ohm