BSL316CH6327XTSA1

Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm

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ベンダーFarnell
メーカーINFINEON
品名BSL316CH6327XTSA1
データシートTechnical Data Sheet (568.66KB) EN
生産国マレーシア
在庫場所シンガポール
備考

ROHS対応品

再リール品

テープカット品

在庫あり13,971
個数
価格(税込価格)
5個以上
¥43(¥47)
50個以上
¥36(¥40)
100個以上
¥28(¥31)
500個以上
¥22(¥24)
個数
最小注文数:100個 注文単位:5個
合計金額¥2,800(¥3,100 税込)

商品仕様

  • tariffCode85412100
  • No. of Pins6 Pins
  • Drain Source On State Resistance P Channel0.119 ohm
  • Continuous Drain Current Id P Channel1.4 A
  • On Resistance Rds(on)0.119 ohm
  • Transistor PolarityComplementary N and P Channel
  • Rds(on) Test Voltage10 V
  • Power Dissipation N Channel500 mW
  • productTraceabilityNo
  • Gate Source Threshold Voltage Max1.6 V
  • Continuous Drain Current Id N Channel1.4 A
  • Drain Source Voltage Vds30 V
  • Drain Source Voltage Vds N Channel30 V
  • Transistor MountingSurface Mount
  • hazardousfalse
  • Power Dissipation P Channel500 mW
  • Drain Source Voltage Vds P Channel30 V
  • euEccnNLR
  • Product RangeOptiMOS 2 Series
  • rohsCompliantYES
  • Power Dissipation Pd500 mW
  • Channel TypeComplementary N and P Channel
  • QualificationAEC-Q101
  • Automotive Qualification StandardAEC-Q101
  • MSLMSL 1 - Unlimited
  • Drain Source On State Resistance N Channel0.119 ohm
  • Transistor Case StyleTSOP
  • Operating Temperature Max150 °C
  • Continuous Drain Current Id1.4 A
  • rohsPhthalatesCompliantYES
  • usEccnEAR99
  • SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)